大降低膜的致密度。

    看到这,陈舟古怪的笑了笑“看来,太快了也不好”

    但是整体来说,这种方法还是很有研究潜力的。

    陈舟在草稿纸上做着记录,并把自己的想法记在一旁。

    把dacvd法的相关文献看完后,陈舟右手滑动鼠标,点开了一个新的df文件。

    最后一个制备方法。

    微波等离子体cvd法,也就是cvd法。

    是四十三所所采用的的方法。

    也是陈舟查这么文献的目的。

    和dacvd法被报道的时间,仅相隔一年。

    这也是目前用于沉积金刚石薄膜最为广泛的方法。

    这种方法最先是通过一种轴向的天线耦合器,将25的矩形微波进行导转换,在大气压下形成等离子体。

    而高压等离子体就会由耦合器的“针孔”处喷射到水冷的样品台上,继而形成金刚石薄膜。

    和dacvd法使用的气源相同,主要是氩气,反应气体是甲烷和氢气。

    现如今,这种方法已经形成了多种形式。

    不过不管是按真空室的形成来分的石英管式、石英钟罩式和带有微波窗的金属腔体式,还是按微波与等离子体的耦合方式来分的表面波耦合式、直接耦合式和天线耦合式。

    它们的沉积速率,都是和微波功率有关的。

    举个例子,用5k微波功率的cvd法,可以以10μh的速率沉积工具级金刚石薄膜,以8μh的速率沉积热沉级金刚石薄膜,以3μh  的速率沉积光学级金刚石薄膜。

    而用10k微波功率的时候,他的沉积速率可以达到25μh。

    也就是说,通过增大微波功率,可以提高金刚石薄膜的沉积速率。

    除此之外,金刚石薄膜的沉积速率还和气体压力有关。

    在高微波功率,高的甲烷与氢气体积流量比,160torr气体压力下,可以制备出150μh的多晶金刚石薄膜。

    如果在同等条件下,将压力提高至310torr下,可以制备出165μh的单晶金刚石薄膜。

    “气体压力”

    “微博功率”

    陈舟在草稿纸上写下这两个词汇。

    拿笔点了两下,随手便划了两个圈。

    这是重点。

    放下笔,陈舟滑动鼠标,继续看文献的内容。

    cvd法之所以会成为最广泛的方法,是因为这种方法比dacvd法制备的金刚石薄膜质量更好。

    很好的解决了膜的致密度不高的问题同时,还可以产生大体积的金刚石薄膜。

    此外,这种方法还能在曲面或者复杂表面上进行金刚石薄膜的沉积。

    而且cvd法无内部电极,可以避免电极放电污染和电极腐蚀。

    可以说是满足了制备高质量金刚石薄膜的条件。

    但是,就像四十三所实验室的装置一样,cvd法的沉积速率是硬伤。

    看完了这篇详细介绍cvd法的文献后,陈舟不禁想到。

    “如果有dacvd法一半的速度,再加上cvd法的制备质量,那这事不就成了吗”

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